3711B1150G

Тип датчика: MEMS DC
Чувствительность: (± 5%) 40 мВ/g
Частотный диапазон: (± 5%) 0 - 1000 Гц
Динамический диапазон: ± 50 g

Чувствительность (± 5%)

40 мВ/g

Динамический диапазон

± 50 g

Частотный диапазон (± 5%)

0 - 1000 Гц

Частотный диапазон (± 10%)

0 - 1500 Гц

Разрешение

0,06 м/с2 (СКЗ)

Резонансная частота

≥ 5.1 кГц

Нелинейность

≤ 1 %

Поперечная чувствительность

≤ 3 %

Внешние параметры

 

Предел нагрузки (ударной)

± 3000 g

Темп. диапазон

-54 до +121 0С

Темп. коэф. чувствит.

± 3 %

Чув-ть к деф-ции крепления

0,001 (м/с2)/ µε

Чувств. к магнитным полям

3,9 (м/с2)/Тл

Электрические параметры

 

Спектральный шум (1-100 Гц)

5890 (µм/с2)/√Гц

Напряжение питания

6-30 В DC

Сдвиг напряжения (при 0 g)

± 40 мВ DC

Аппаратные

 

Изоляция

Герметичный

Материал корпуса

Титан

Размер, мм

11,4 х 21,6 х 21,6

Масса

16,3 грамм

Разъем

4-штырьковый

Крепление

Отверстия 2 шт.

Государственный реестр СИ

№45351-10